SiCウェハ加工プロセス開発・実験計画から特許出願まで担うプロセスエンジニア

【業務内容】 SiCウェーハ加工プロセスの開発業務をお任せします。 ・実験装置、加工材料の開発 ・実験計画の作成と実験実施 ・実験環境の整備 ・プロセス条件出し ・プロセス装置の開発企画、支援 ・特許など他社技術情報の収集と分析 ・特許出願 【変更の範囲：会社の定める業務】

【必須条件】 ・半導体プロセス開発経験

専門卒以上

■採用背景 現在の事業に継続して力を入れながら、新規参入の分野として開発経験を持った方の採用で開発のご経験がある方を中心に、実用化を加速したいと考えております。 ～業界世界トップシェアの技術力を誇る優良企業／ヘリオステクノホールディング株式会社100％子会社／転勤なし／残業月平均10時間／創業87年 【業務の魅力】 ・確立したルールやしがらみはなく、裁量が多く、自由度が高い業務です。 ・実験の計画、実施、外部施設の有効利用、他社の技術情報の分析など、 幅広く開発用務に関わる為、充実感が高く、多方面でスキルアップが可能です。 【アピールポイント】 ・東証スタンダード上場グループ、創業87年、安定性抜群の老舗メーカー ・世界シェアトップクラスの技術保有、海外売上比率も85％以上 ・年休120日／賞与年6ヵ月実績／残業月平均10h／定着率92％ ・経産省が推奨する「健康経営優良法人2025」認定取得

【給与補足】 ・前職給与を考慮の上、社内規程に準じます。 ・賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。 ・月給（月額）は固定手当を含めた表記です。 【昇給】年1回 【賞与】年2～3回（7、12月＋業績により決算賞与）※直近実績：6ヶ月分 【残業手当】 有 【雇用形態】 期間の定め無 補足事項無 【試用期間】 3ヶ月 補足事項無

６ヶ月分

千葉県佐倉市太田2071 【最寄り駅】 JR総武本線／佐倉駅